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1.
采用磁控溅射技术，通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜，以形成异质薄膜器件，并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明，在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能，并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联，最高可达230%,远超过单一薄膜。同时，器件的响应速度较快，响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图，对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
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