排序方式： 共有15条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1.
2.
趋肤效应就是在交流电路中,随着电流变化频率的增加,导体横截面上的电流分布向导体表面集中的现象,目前,国内不少的普通物理电磁学部分教材中,都用涡电流来解释趋肤效应。这种解释在理论上是不确切的,也容易使学生对趋肤效应产生误解。 用涡电流来解释趋肤效应就要事先假定在导线中心也存在交变电流I_0,I_0产生交变的环路磁场激发涡旋电场,由此在导体内部出现了涡电流I′,然后分析在一个周期的大部 相似文献
3.
随着科学技术、工业生产自动化的不断提高,半导体器件的产生发展,特别是近年来大型可控硅及逆变器等非线性负载的大量增多．而这些非线性负载能把高次谐波电流注入电网。从而引起电网系统电压和电流波形发生畸变,使电网受到严重污染。 相似文献
4.
随着科学技术、工业生产自动化的不断提高,半导体器件的产生发展,特别是近年来大型可控硅及逆变器等非线性负载的大量增多,而这些非线性负载能把高次谐波电流注入电网。从而引起电网系统电压和电流波形发生畸变,使电网受到严重污染。 相似文献
5.
6.
粟琼 《黔东南民族师专学报》2005,23(3):9-10,12
用一种近似的方法，计算高频时趋肤效应对于圆柱导线电阻和电感的影响，计算结果表明，当频率大于1kHz时，导线电阻增大，而电感减小． 相似文献
7.
随着科学技术、工业生产自动化的不断提高,半导体器件的产生发展,特别是近年来大型可控硅及逆变器等非线性负载的大量增多,而这些非线性负载能把高次谐波电流注入电网。从而引起电网系统电压和电流波形发生畸变,使电网受到严重污染。 相似文献
8.
随着科学技术、工业生产自动化的不断提高,半导体器件的产生发展,特别是近年来大型可控硅及逆变器等非线性负载的大量增多,而这些非线性负载能把高次谐波电流注入电网。从而引起电网系统电压和电流波形发生畸变,使电网受到严重污染。 相似文献
9.
10.
电磁波在介质中透入深度的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文针对一些教材中关于电磁波在介质中透入深度的解释过于简单不够深入、通过建立数学模型,结合理论推导,从介质分为非良导体与良导体等方向对透入深度作一定探讨. 相似文献