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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 593 毫秒
1.
本文采用射频磁控溅射方法制备了DyFeCo非晶磁光薄膜,研究了氩气压、溅射功率对DyFoCo薄膜性能的影响,实验表明:反射率随惶气压升高而降低,矫顽力随敢压升高而逐渐增大,达到一定值时克尔回线反应,随后矫顽力又逐渐减少,高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好,但氩气压进一步升高,磁光克尔回线矩形度变差,本征磁光克尔角随氩气压升高而增大,到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而  相似文献   

2.
磁光效应指的是光与处于磁化状态的物质之间发生相互作用而引起的各种光学现象。这些效应都起自物质的磁化,反映了物质磁性和光间的联系。本文介绍了磁光克尔效应的基本原理和主要的应用。  相似文献   

3.
利用磁控溅射法制备了SmTbCo/Cr薄膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明:随着Sm含量的增加,(SmxTb1-x)31Co69薄膜的Ms、θk和R增加,而Hc随之减少;Sm含量在0.286~0.343范围内的(Sm0.286Tb0.714)31Co69(120nm)/Cr(240nm)和(Sm0.343Tb0.657)31Co69(120nm)/Cr(180nm)薄膜的磁光性能均满足光磁混合记录对介质的要求.  相似文献   

4.
利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线.结果表明:Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响..  相似文献   

5.
为了实现法拉第磁光角的直接观测,设计了一个基于纳米径向偏振光栅的法拉第磁光角测量系统。介绍了法拉第磁光角测量系统的检测原理、光路设计以及操作步骤,并搭建了仿真和实验平台对系统的可行性进行验证。结果表明,该系统不仅能够实现0°~360°法拉第磁光角的测量,还能够呈现磁场作用下法拉第磁光角的动态变化过程。该系统有助于学生掌握法拉第磁光角与磁场的直接关系,加深对法拉第效应的理解与认识。  相似文献   

6.
用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0.5kA·m^-1降到了0.09kA·m^-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2.6%和1.7%。  相似文献   

7.
采用IBS法在锡青铜衬底上溅射沉积Sm-Fe非晶态超磁致伸缩薄膜,研究衬底的表面状态和薄膜热处理对Sm-Fe薄膜磁致伸缩性能的影响.实验结果表明,锡青铜衬底状态对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜磁伸性能有很大影响.样品经过200℃真空热处理后,100 mT内dλ/dH值从制备态Sm-Fe薄膜的0.71×10-3 T-1提高到2.48×10-3 T-1,薄膜低场磁敏性得到显著提高.  相似文献   

8.
实验磁源     
中学物理实验室常用的各种形状磁铁,久用之后,磁性减弱,甚至完全失磁,实验效果差.这里介绍一种简易充磁装置,可对磁铁重新充磁,该装置简单、实用、费用少,使用效果却很好.实验磁源,实际上就是一只特制的U型电磁铁.  相似文献   

9.
针于激光焊接所要求的紧密焊缝,构建以磁光传感器为核心的焊缝检测装置,该装置能检测出反映焊缝特征的磁光图像.通过分析磁光图像的特点,确定磁光图像中过渡带的中心为焊缝中心.最后,通过中值滤波,获得比较清晰的磁光图像,并把该图像进行灰度化处理,获得沿焊缝两侧的灰度变化图,通过分析灰度变化图,能获得焊缝的测量中心,这为利用磁光图像进行微焊缝跟踪的激光焊接确定了可能性.  相似文献   

10.
根据带绝缘层的复合结构层状、丝状磁性材料的巨磁阻抗效应的实验研究结果,提出了带绝缘层的多层复合薄膜结构模型,采用将静态、动态两种磁化过程分开考虑的方法,同时考虑畴壁振动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出当电流只通过高电导率的导电层时该模型的阻抗表达式,所得公式体现了"三明治"模型的特点,并弥补了它的不足.同时,通过有无外加直流磁场时阻抗表达式的异同,对袁望治等人的实验结果作了理论上的正确解释.  相似文献   

11.
利用JDP-560C19型超高真空磁控溅射仪,在玻璃衬底上溅射制备NiMn/NiFe双层膜样品,。通过控制NiMn/NiFe双层膜退火温度改变其微观结构,研究样品磁性与退火温度的关系。研究表明,NiMn/NiFe双层膜的矫顽力和交换偏置场均随着退火温度的升高而增大,当退火温度为350℃时,矫顽力和交换偏置场都出现一个峰值,随后随着温度升高,矫顽力和交换偏置场减小。  相似文献   

12.
用阳离子型的聚二茂铁硅烷(PFS Cl-)与阴离子型的聚苯乙烯磺酸钠(PSS-Na )在石英、金材料表面上制备了PFS -PSS-多层自组装膜.多层自组装膜的逐层UV-Vis光谱表明,多层膜具有均匀有序的结构.多层自组装膜的电化学研究表明,膜的电化学性质与膜的层数和膜外表面聚电解质性质有关.当自组装膜层数较少时,膜电极过程表现出表面定域的单层膜性质;当膜层数较多时,膜内电活性物质的扩散成为控制步骤.而且,随着膜层数增加,膜内传质阻力增大,膜内扩散速率减小,膜的CV峰的可逆性降低.  相似文献   

13.
稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.ZnO基稀磁半导体材料的研究主要集中在:(1)优化生长参数,获得高质量的薄膜;(2)选择不同的掺杂元素与掺杂量,通过单掺杂或共掺杂技术,提高材料的居里温度,奠定其应用的基础.  相似文献   

14.
本文论述了磁性材料磁滞回线测量的基本原理,采用数字示波器光标的实时跟踪功能测量了磁滞回线上的42个点的坐标值,利用数字电流表和电压表记录B和H的定标值,然后采用origin软件对所测的数据进行线性拟合、绘制磁滞回线的图形。实践证明利用数学软件origin是优于传统的手工计算与作图的数据处理方法,且处理结果完全满足实验数据处理要求,适合在实验教学中推广。  相似文献   

15.
利用PECVD生长技术制备a-Si/SiNx多层膜,利用解理技术获得干净平滑的截面.利用选择性化学腐蚀技术在横截面上制备出浮雕型一维纳米模板.通过控制多层膜子层的生长时间,得到线条宽度和槽状宽度均最小为20纳米的等间距模板,品质优于电子束制备的模板.以这种模板为基础,利用印章技术制作了硅基光栅.  相似文献   

16.
描述了如何利用激光以及磁场构建光学粘胶、激光阱、磁阱、磁光阱等实现对碱金属的囚禁与冷却,旨在明晰的呈现BEC实验实现的关键技术、物理原理以及各种装置的优缺点.  相似文献   

17.
克拉克·克尔在担任美国加州大学总校长期间,实现了加州大学管理分权趋势萌芽半个多世纪后第一次大刀阔斧的分权管理改革。在对大学管理和多校园大学系统的利弊进行深入分析后,克尔认为,多校园大学中每个分校才是基本的忠诚单位,大学则是服务于分校的高级机构,在维持一个大学的前提下,分校必须掌管基本事务的决策权。但是,克尔也强调权力的制衡,认为在多校园大学系统与分校关系问题上,集权与分权的程度是动态发展的,没有黄金法则。  相似文献   

18.
Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively.  相似文献   

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