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本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。 相似文献
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近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。 相似文献
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对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 相似文献
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用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究 总被引：1，自引：0，他引：1
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究.系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率. 相似文献
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采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。 相似文献
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《中国科技信息》2017,(16)
基于近年来国内外手机终端厂家提出的将蓝宝石晶体材料应用于手机视窗盖板的相关计划,本文采用热交换晶体生长方法,成功生长出直径400mm,高260mm,重量140KG的蓝宝石晶体。将蓝宝石晶体材料制成双面抛光蓝宝石手机视窗盖板,抛光后的蓝宝石手机视窗盖板的表面粗糙度小于1nm,表面厚度偏差(TTV)小于10,表面翘曲度小于20,莫氏硬度达到了9级,纳米维氏硬度大于30GPa,在400nm~740nm可见光波段的透过率超过86%,平均四点弯曲强度达到了1000MPa以上,耐跌落能量大于0.4焦耳小于0.45焦耳,测试数据表明热交换法蓝宝石手机视窗盖板性能优于玻璃材质手机视窗盖板,是未来智能手机屏幕视窗盖板的理想材料。 相似文献
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中国科学院物理研究所 《中国科学基金》2007,21(2):127-127
近日,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展。他们从实验和理论上研究了Si(111)单晶衬底上Pb薄膜中的厚度变化对原子表面扩散运动的影响,证明了量子尺寸效应对原子表面扩散运动的调制作用。该成果被选作封面图片发表在美国《物理评论快报》(Phys．Rev．Lett．97,266102(2006))上。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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我们采用氢化物气相外延方法生长了锰掺杂的氮化镓薄膜。使用X光衍射仪（XRD）,喇曼散射仪来研究样品的性质。在锰掺杂氮化镓薄膜的XRD谱里,可以发现有镓锰和镓锰氮化合物成分。除了氮化镓的峰,锰掺杂样品的喇曼谱上在670cm-1处有一个峰,在150,300and450cm-1附近分别有一个展宽结构。我们认为在150,300和670cm-1处的三个模式是由于无序激活喇曼散射引起的,在450cm-1处的模式是镓-锰键的局域振荡引起的。 相似文献
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