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分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。 相似文献
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赵凡 《科技成果管理与研究》2010,(8):F0003-F0003
LED照明是一种节能环保的新型照明技术,1986年,日本名古屋工业大学发明了生长GaN（氮化镓）的新方法,GaN基材料和器件很快成了研究的热点。在国内,北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室于1990年筹建金属有机化合物气相沉积实验室, 相似文献
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正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。 相似文献
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GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。 相似文献
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采用了雷-丁平衡方程描述GaN/AlGaN中2DEG系统,总结GaN基异质结中2DEG的散射机制,主要的散射机制有电离杂质散射、压电散射及合金无序散射等。分析了各散射机制对2DEG输运的影响。 相似文献
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高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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为了深入研究功能材料和新型器件的性能,必须对材料的原子结构有系统的了解,同时发展先进的电子显微学方法。现代电子显微镜技术可以揭示材料和器件的多种重要结构现象,包括界面原子结构、结构相变和局域电子结构等。超导和多铁材料是目前材料科学及凝聚态物理研究热门课题,“电子显微技术及其在材料科学中的应用”项目重点关注了电子和几何铁电材料的微结构,深入分析了电荷序和铁电性,局域原子排布和拓扑畴的关联;系统研究了微观结构对新型铁基超导体物理性质的影响。项目获得基金委重大研究计划、国家自然科学基金面上项目、973国家重大科学研究计划支持,由中国科学院物理研究所主持完成,主要完成人有李建奇、杨槐馨、田焕芳、马超。 相似文献
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在南昌国际展览中心举办的博览会主馆入口处,一个长7．68米、宽3．84米的硅衬底LED全彩显示屏吸引了众多参观者的目光。这个显示屏就是由晶能光电（江西）有限公司制造的。晶能光电拥有的硅衬底GaN基LED材料与器件技术是一种改写半导体照明历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,而南昌大学“半导体照明技术”教育部创新团队正是这项技术的研发者。 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献