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相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到:无磁场情况,对于|m|=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于|m|≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.  相似文献   

2.
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ωh的增加而增大.E1-R0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ωh的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在r0〈60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显.在r0〉60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0〈70nm区域,随着角动量m。从0增加到3,E1-r0和Eb—r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着mc的增加而快速增大.在r0〉80nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于mc值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小.库仑能不可以作为微扰项来处理.  相似文献   

3.
运用改进的线性组合算符与变分相结合的方法,研究无限深量子阱中强耦合束缚极化子的性质.得到束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、阱宽以及拉格朗日乘子的关系.通过数值计算结果表明:当库仑束缚势、阱宽和拉格朗日乘子增大时,基态能量的绝对值增大.  相似文献   

4.
利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响,接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素。  相似文献   

5.
利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响.接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素.  相似文献   

6.
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大.能级随着谐振子势wh的增大而增大.不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象.当量子环较大时,E即%——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.  相似文献   

7.
利用B样条技术计算强磁场下二维量子环在不同角动量下的能谱及其量子尺寸效应.计算发现:量子环的能量在环半径r0=r00时出现一个极小值,当r0相似文献   

8.
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取三个不同的变分波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随量子点高度L及杂质位置z0、p0的变化规律.计算结果表明:三个不同变分波函数计算得到的杂质态结合能随量子点高度L及施主杂质位置z0、p0的变化规律一致,但对比三个不同变分波函数计算所得结果可知,选取单参量的各向同性类氢波函数,杂质态结合能最大,基态能最低,按变分原理,表明备向同性类氢波函数能更好地描写柱形量子点中类氢施主杂质电子的运动,也表明小量子点(量子点的直径和高度可比)中类氢施主杂质态一定程度上的各向同性行为.  相似文献   

9.
在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。  相似文献   

10.
电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用线性组合算符及幺正变换的方法.研究了电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响,得出基态能量和电场强度、阱宽、库仑束缚势、振动频率之间的关系.计算结果表明:随着电场强度的增加,束缚极化子的基态能量增大;随着阱宽的增大,束缚极化子的基态能量减小,且阱宽越小.量子尺寸效应越显著.  相似文献   

11.
应用玻色化的自洽微扰论方法,给出了s=1/2xxz反铁磁链的Spin-Peierls系统的基态能量和准粒子元激发能谱的解析近似式,了模型基态能量密度与基态准粒子激发能隙随晶格畸变大小的关系受各向异性作用参量的影响。  相似文献   

12.
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。  相似文献   

13.
采用线性组合算符及幺正变换的方法研究了量子阱中强耦合磁极化子的性质。得出磁极化子基态能量与耦合强度,阱宽,磁场强度之间的关系。数值计算表明:对于强耦合磁极化子,振动频率随磁场强度的增加而增大。基态能量随回旋频率的增加而增大。磁极化子的基态能量随着阱宽的增大而减小,阱宽越小磁极化子的量子尺寸效应越明显。  相似文献   

14.
在有效质量近似模型和实验数据的基础上,以CdS和CdSe小量子点系统为研究对象,分别在强受限区域和弱受限区域,分析有效质量、介电常数、势垒高度等因素对受限激子基态能谱量子尺寸效应的影响.分析发现:对于处在不同环境的量子点系统,考虑其空穴的有效质量的不同对激子基态能量的动能项进行修正是十分必要的,但仅仅考虑这个因素不能从根本上改善理论结果使其与实验结果符合.对于介电常数较小的CdS和CdSe这种小量子点,库仑相互作用能的贡献也是十分重要的,并且在强受限区域对激子基态能量曲线形状的修正起了关键作用.对于CdS和CdSe这种小量子点,把库仑项忽略或作为微扰项来处理会引起较大误差.分析还发现势垒高度引起的束缚能的变化也是影响激子的基态能量的重要因素之一.  相似文献   

15.
在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增大,中心施主杂质束缚能先增大后减小,显示有一极大值;施加的电场明显地改变了量子环中电子波函数的分布,导致施主杂质束缚能相应的改变;施主杂质束缚能随杂质位置的变化呈现出规律性。  相似文献   

16.
通过求解能量本征方程,得到弱磁场作用下的二维势阱中电子的本征能量及其波函数,进而以基态和第一激发态波函数构造了一个量子比特.数值计算结果表明,量子比特内电子的空间概率密度随空间坐标和时间的变化而变化,在阱的边缘处出现的概率值为零,在其他位置相对较大;各个空间点的概率密度均随时间做周期振荡,振荡周期与阱宽有关,与外磁场无关,它随阱宽的增加而增大.  相似文献   

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