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相似文献
 共查询到20条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法  相似文献   

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正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异、光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长  相似文献   

3.
正宽禁带(一般指禁带宽度2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。GaN也是跨世纪期间方有较快发展,1993年GaN外延蓝光二极管研制成功,1996年白光LED诞生并迅速  相似文献   

4.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

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正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

6.
高压碳化硅功率器件(High Voltage SiC Power Device)以其在电力推动、高速轨道交通、新能源汽车、智能电网、太阳能、风力发电等领域的巨大应用潜力,逐渐成为国际研究的热点.2013年,日本将碳化硅纳入"首相战略",认为未来50%的节能要通过它来实现.2014年初,美国成立了美国碳化硅产业联盟,以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体,获得了美国联邦和地方政府的合力支持.  相似文献   

7.
现在碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体在军事和民品上的应用成为未来发展趋势。氮化镓GaN具有禁带宽度大、临界击穿电场大、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定等特点,使得氮化镓GaN元器件具有通态电阻小、开关速度快、耐高温、耐压高性能好等优点,在光伏逆变、电力电子、微波通信、照明等应用领域,有着硅Si元器件无法比拟的优势,有着重要的战略意义,因此氮化镓GaN作为第三代半导体材料中的典型代表在将来会得到更宽广的应用。  相似文献   

8.
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理,化学性质稳定等特点,在光电子,微电子等领域有广泛的应用,降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法,原理,进展情况进行了介绍。  相似文献   

9.
《科技风》2015,(20)
碳化硅(Si C)作为第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高饱和飘逸速度、高临界击穿电场等优点,在高温、高频、大功率应用方面有很大的优势。本文简要介绍了Si C材料的特点、制备及其在功率器件方面的应用。  相似文献   

10.
《黑龙江科技信息》2014,(35):I0002-I0002
近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(Si C)单晶衬底。  相似文献   

11.
褚君浩院士是我国著名半导体物理和器件专家,中国科学院院士,我国自己培养的第一位红外物理学博士。他长期从事红外光电子材料和器件研究,在窄禁带半导体、非制冷红外探测、太阳能电池和太赫兹物理、材料及器件等诸多红外科学技术领域做出贡献。近年来他带领的研究团队继续在红外物理前沿不断探索,做出新的创新成果,这些成果从原理规律的发现到技术发明创新,都具有非常重要的意义。  相似文献   

12.
材料是社会科学技术进步的物质基础与先导,一种新材料的发展,往往导致一场技术革命。当代,材料、能源与信息一起被公认为现代文明的三大基础支柱。哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院副教授宋波近年来一直从事宽禁带半导体材料的研究,先后主持国家自然科学基金、科技部国际重大合作、总装预先研究等项目,主要开展光电功能晶体GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）的生长和物性研究。他敏锐地意识到,  相似文献   

13.
<正>项目概况碳化硅是制造高频、高温、大功率半导体器件的理想衬底材料,是发展第三代半导体产业的关键基础材料,己成为当前全球半导体产业的前沿和制高点。然而,碳化硅单晶制备技术被少数国家所垄断,并对我国实行严格的禁运,而国内对碳化硅晶片具有迫切需求,其已成为我国重要的战略物资,在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中明确列为"新一代信息功能材料及器件"优先主题。该项目的研发成功大大降低了碳化硅晶片的成本,填补国家在这一领域的空白,带动了上游的碳化硅原材料产业和下游的宽禁带半导体产业等的发展,并可满足国家国防事业在微波器件衬底上的需要。  相似文献   

14.
褚君浩研究员主要从事窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究，并且取得了一系列的科研成果。其中一些科研成果更引起世界同行的关注。  相似文献   

15.
《科技风》2017,(25)
工业的快速发展使我国许多行业都得到了相应的发展,半导体行业就是其中最为重要的一个,人们对半导体产品的研究不断深入,其性能得到了进一步增强。纵观半导体材料的发展,其中硅、锗作为第一代半导体材料;砷化镓、磷化铟、磷化镓等为第二段半导体材料;宽禁带(Eg2.3eV)氮化镓、碳化硅以及金刚石作为第三点半导体材料杰出代表。而当前已然进入到光电子时代并不断向光子时代转变。预计第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。  相似文献   

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新一代半导体材料新贵GAN   总被引：1，自引：0，他引：1  
6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料，  相似文献   

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概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来,其独特的物理化学特性,在微电子器件方面有很好的应用前景,现在已经成为物理化学研究者争相研究的热点。ZnO是重要的Ⅱ－Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体氧化物,其禁带宽度为3．37eV,激子结合能（60meV）,具有较高的化学稳定性,适宜用作室温或更高温度下的可见和紫外光发射材料。因此,合成准一维ZnO纳米结构及其性质研究迅速受到了科学工作者的广泛关注。基于气－固（VS）和气－液－固（VLS）生长机制,各种形貌的准一维ZnO纳米结构已经被国际上著名的纳米小组报道过,包括纳米带,纳米线阵列,单根纳米线器件,单晶纳米环,超品格纳米弹簧,纳米盘,微米棒等等。  相似文献   

18.
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。  相似文献   

19.
《中国科学基金》2006,20(6):368-368
9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，来自中国科学院半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。  相似文献   

20.
GaN(氮化镓)时代即将到来 　　在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.……  相似文献   

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