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相似文献
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1.
在温度300-600℃及2×10-4-1×10-3Torr的氧压下,对脉冲激光烧蚀生成的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜进行退火.无论是经原位或异位退火处理后的LCMO薄膜,其金属-半导体电阻-温度(R-T)特性曲线及转变温度均会发生明显的改变.薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响.  相似文献   

2.
运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。  相似文献   

3.
采用磁控溅射技术在(001)取向LaAlO_3单晶衬底上制备了La_(0.7)Ba_(0.3)MnO_3外延薄膜.利用x射线衍射对其外延性质进行了表征.系统研究了退火气氛对薄膜磁输运行为的影响.结果表明,无论Ar气氛退火还是O_2气氛退火,薄膜的电阻-温度曲线均表现出金属-绝缘体转变行为,且转变温度随着外界磁场的增加向高温方向移动.同时,Ar气氛退火薄膜的磁阻效应加强,而O_2气氛退火薄膜则呈现典型的磁阻效应,即低温磁阻率很小,在较小的外场下就会饱和.这一差异可以看作Ar退火薄膜内部存在相分离的佐证,外场下较大的磁阻率由两种机制贡献.  相似文献   

4.
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。  相似文献   

5.
以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.  相似文献   

6.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb5+能使SrTiO3转化为n-半导体。  相似文献   

7.
本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb_2(SSe)_3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb_2S_3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10~(-8)A.  相似文献   

8.
(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.  相似文献   

9.
采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。  相似文献   

10.
运用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究表明,退火温度、退火时间分别为500℃、1 h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜(SEM)分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群.  相似文献   

11.
12.
The hot hardness behavior of Zr_(52.5)Al_(10)Ni_(10)Cu_(15)Be_(12.5) bulk metallic glass is studied from ambient temperature to the temperature over T_x (the onset crystallization temperature) using a hot macro-hardness tester and scanning electron microscopy (SEM).The results show that the hot hardness behavior of Zr_(52.5)Al_(10)Ni_(10)Cu_(15)Be_(12.5) bulk metallic glass can be classified into 4 zones:the glassy zone in which the hardness almost linearly decreases with the increase of temperature,the viscoelastic zone in which the hardness is nearly unchanged,the viscous flow zone in which the hardness quickly tends towards near zero with temperature,and the crystallization zone in which the hardness sharply increases.The high temperature deformation behavior and the easy processable deformation region for bulk metallic glasses are also discussed on the basis of the hot marco-hardness.  相似文献   

13.
The protected tetrapeptide, N-o-Ns-N ( Me ) -Val-N ( Me ) -Val-N ( Me ) -Val- N ( Me ) -Phe- OtBu, was prepared from L-valine and L-phenylalanine. Ted-butyl acetate and HClO4 were used to protect carbonyl group, o-nitrobenzenesulfonyl chloride and triethyl amine were used to protect amino group, and N-alkylation was finished with iodomethane. Then the protected amino acid was turned into acid chloride which was taken as coupling reagent. After 14 steps, such as protection, alkylation, deprotection and coupling, the protected tetrapeptide was obtained with a yield of 26.9%. The structures of intermediates and target compound were identified with NMR spectra and high resolution mass spectra.  相似文献   

14.
本文研究了利用吸铸和短时间热处理方法制备的La0.8Ce0.2Fe11.4Si1.6B0.5化合物的微结构、磁性以及磁熵变性能.X射线衍射结果表明,与传统的长时间热处理方法(通常大于1周)相比,吸铸方法制备的La0.8Ce0.2Fe11.4Si1.6B0.5化舍物只需经过1373K真空退火处理2h后,全部转变为单相立方NaZn13型晶体结构.磁测量表明,样品具有较小的热滞和磁滞,B添加使居里温度Tc提高到197K,最大磁熵变为15.3 J/(kg·K).这些研究说明了吸铸短时退火是一种制备磁制冷材料的优异方法,该方法制备的La0.8Ce0.2Fe11.4Si1.6B0.5化合物是一种优良的磁制冷工质.  相似文献   

15.
16.
文章讨论了2π周期函数的正常积分带重结点的具有最大三角精度m-1的HTm(θ)型求积公式,当结点组取定后,得到了求积公式具体的型.  相似文献   

17.
文章对现存《修多罗般若波罗蜜经》进行整理,通过其自身面貌、经题名称、结构体例和文句承袭等方面进行分析,从佛教关于佛经真伪判别的传统意义上,认为该经为一部汉人撰写的伪经。同时,鉴于该经丰厚的历史内涵,分析了其文献史料价值。  相似文献   

18.
用电子束蒸镀方法在250℃~450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底(111)晶面上成功生长了Zn0.85Co0.14Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°。  相似文献   

19.
对最大公凶式的表达式d(x)=uCx)f(x)+v(x)g(x)中用辗转相除法所得出的u(x)和v(x)所具有的唯一性和次数最低性进行一下证明.  相似文献   

20.
苄基取代茚基二价稀土配合物的合成与表征   总被引:3,自引:0,他引:3  
无水EuCl3与1—苄基茚基钾在四氢呋喃(THF)中以1/2的摩尔比反应,尔后用Na/K合金原位进行还原,得到了一种新的中性的二(1—苄基茚基)稀土Ⅱ配合物(1—PhCH2C9H6)2Eu(THF)2;而用SmI2与1—苄基茚基钾在THF中以1/2的摩尔比反应,合成了一种新的苄基取代茚基稀土二价配合物(1—PhCH2C9H6)2Sm(THE)2,并对其进行了元素分析及红外光谱的表征。  相似文献   

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