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丙氨酸尾式卟啉及其锌配合物的电化学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用循环伏安法研究了 5 -邻 [N - (L -丙氨酸 ) -乙氧基 ]苯基 - 10 ,15 ,2 0 -三苯基卟啉及其锌配合物在CH2 Cl2 为溶剂和TBPA为电解质条件下的电化学性质 .在循环伏安图中 ,两种物质都呈现 4对可逆的氧化还原峰 ,其氧化还原过程仅发生在卟啉的π电子体系上 .同时对其电化学反应机理作了推测 相似文献
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介绍了用纳米碳-PVC膜修饰电极测定痕量镉的新方法。优化了各种试验条件,如支持电解质的选择、pH值的影响、修饰剂的用量、富集电位及时间、扫描速率等。 相似文献
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在特定缓冲底液(pH6.40)中,甲磺酸吉米沙星(Gemifloxacin mesylate,简称FACTIVE)在汞电极上可以发生还原反应,测得了还原反应的峰电位,该还原峰为典型的吸附峰;测定表明,吸附于滴汞电极上的粒子为甲磺酸吉米沙星的中性分子,通过实验测得了待测物在滴汞电极汞滴上的饱和吸附量,测得了FACTIVE分子在汞滴上吸附后所占电极面积,实验证明待测物中性分子在汞滴上的吸附符合Langmuir吸附等温式;实验表征了吸附系数,25℃时的吸附自由能,电极反应过程中转移电子数,不可逆体系动力学参量,汞滴表面反应速率常数;并通过实验给出了吸附溶出伏安法测定FACTIVE的最佳条件,方法的检出限满足常规分析的要求. 相似文献
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该文利用循环伏安法(CV)和线性扫描溶出伏安法(LSSV)研究了对苯二酚(HQ)和间苯二酚(RS)在聚噻吩/纳米二氧化钛修饰玻碳电极(PTh/NTiO2/GCE)上的电化学行为。该修饰电极作为两种苯二酚传感器表现出极好的灵敏度和选择性。在0.2mol/L柠檬酸-磷酸氢二钠缓冲溶液(pH 4.6),RS和HQ的氧化峰电位相距508 mV,且在PTh/NTiO2/GCE上的峰比在裸GCE上的高出6.5倍。在最佳条件下,PTh/NTiO2/GCE对HQ和RS在1.0×10-7~8.0×10-6范围内都有较好的线性关系,混合物中的检出限(S/N=3)分别为3.3×10-8 mol/L和3.7×10-8 mol/L。通过计算得出了一些动力学参数如电子转移数(n),质子转移数(m)。该法被用来同时测定废水中的RS和HQ结果满意。 相似文献
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采用Hummers法制备石墨烯,将石墨烯分散于壳聚糖中滴涂在玻碳电极表面制得石墨烯-壳聚糖修饰电极(CTS/GR/GCE电极),分析研究了三聚氰胺在CTS/GR/GCE上的电化学行为。实验结果表明:当扫描电压范围为01.9 V,扫描速度为100 m V/s,扫描三聚氰胺待测液时,在0.8 V附近出现一对明显的氧化还原特征峰。三聚氰胺的线性检测范围为5×10-31.9 V,扫描速度为100 m V/s,扫描三聚氰胺待测液时,在0.8 V附近出现一对明显的氧化还原特征峰。三聚氰胺的线性检测范围为5×10-35×10-5 mol/L,检出限为1×10-5 mol/L。对于实际样品的定性和定量检测效果明显,加标回收率为93%5×10-5 mol/L,检出限为1×10-5 mol/L。对于实际样品的定性和定量检测效果明显,加标回收率为93%101%。 相似文献
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采用界面法合成聚苯胺纳米纤维,并利用SEM、TEM、FTIR、XRD表征聚苯胺的表面形貌和结构。将合成出的聚苯胺纳米纤维滴涂在玻碳电极表面制备聚苯胺修饰电极,采用循环伏安法研究对苯二酚在聚苯胺修饰电极上的电化学行为。结果表明,与裸电极相比,对苯二酚在修饰电极上的氧化还原峰电流均增大,峰电位差ΔEp减小了115mV,对苯二酚电化学可逆性得到明显改善,说明修饰电极对对苯二酚的氧化过程有明显的电催化效果。且当对苯二酚在1.0×10-7-1.0×10-3mol/L浓度范围内,其氧化峰电流与浓度之间呈良好线性关系,其相关系数是0.9988,检出限为6×10-8mol/L。 相似文献
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王学杰 《浙江教育学院学报》2004,(3):41-47
研究了两种聚二茂铁硅烷膜在6种有机溶剂中的循环伏安(CV)行为,讨论了溶剂性质对膜的CV行为的影响.在"好"的溶剂中,电解质完全解离,聚合物膜有适当的溶胀度,膜的CV行为表现为可逆的特征.研究了3种不同离子体积的支持电解质对聚二茂铁硅烷膜的CV行为的影响.电解质阴离子参与膜的CV过程,其体积大小对膜的CV行为有显著影响.大阴离子较难渗透进出膜,膜内迁移阻力大,使膜的CV行为表现为不可逆特征. 相似文献
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根据锑与溴邻苯三酚红(BPR)生成的络合物在碳糊电极上的吸附特性, 建立了测定痕量锑的吸附伏安法. 整个分析过程分3个步骤: 吸附富集、还原和溶出. 用单因素变化法得出最佳试验条件为: 以含40 μmol/L BPR的0.10mol/L HCl为富集底液; 富集时间150 s; 还原和溶出介质为0.20mol/L HCl; 还原电位为-0.50V; 还原时间为60 s;扫描范围为-0.5~0.20V. 考察了共存离子的影响. 二次导数溶出峰电流与锑(Ⅲ)浓度在1. 0nmol/L~0. 50μmol/L范围内呈良好的线性关系, 检出限达0.5nmol/L. 该方法已成功应用于人发和水样中锑的测定. 相似文献