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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。  相似文献   

2.
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理,化学性质稳定等特点,在光电子,微电子等领域有广泛的应用,降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法,原理,进展情况进行了介绍。  相似文献   

3.
20世纪,人类在航天领域实现了飞天梦想,在信息领域取得了巨大的成功,极大地改变了人类的生活质量。随着科技的发展,微电子器件的集成度越来越高,航天器的小型化和微型化也成为航天技术发展的重要方向之一。然而,航天器越小、微电子器件的集成度越高,对散热的要求也越来越高。人们认识到,散热技术将严重影响微电子器件的发展和为电子机械系统(MEMS)的优化设计。为此,自20世纪80年代以来,国际传热界一直将微尺度传热作为研究热点之一。研究结果表明,微尺度条件  相似文献   

4.
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾,其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析,最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构。  相似文献   

5.
董廷山 《内江科技》2013,(9):156+145-156,145
半导体发光器件由于它自身的诸多优点,在许多方面应用越来越广泛,作为职业教育应紧跟社会的发展,满足社会对各种专业技术人才的需求。在微电子技术领域,对半导体光电器件新课程的研究意义重大,并有很大的实际价值。本课程研究思路拟采用理论教学+研讨性实训+拓展技能训练的三加方式,以项目教学进行综合"打包",全面提高学生的专业素质和综合素质。  相似文献   

6.
《金秋科苑》2013,(22):48-48
最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功研制出半浮栅晶体管(Serei—Floating—Gate Transistor,SFGT),有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。金属一氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)和浮栅晶体管是广泛应用于当前主流芯片的两种器件。  相似文献   

7.
随着网络计算技术的日渐发展和成熟,逐渐演变成现今为大家所熟知的云计算,云计算实验平台对于虚拟实验技术的发展起到重要作用。文章基于虚拟科研组织nano HUB的虚拟计算技术进行云计算实验平台搭建,实现了专业微电子模拟软件在云计算教学实验平台的在线实验,为云计算在器件虚拟仿真实验教学和研究提供了新的解决方案。  相似文献   

8.
《科技风》2017,(23)
在微电子产业高速发展的时代,对微电子器件的清洁性要求越来越高。但硅片表面的污染物将对集成电路元器件的性能造成极大的影响。因此,对硅片表面进行清洗是保证器件性能及提高器件成品率必不可少的一步。本文就微电子行业新型湿法清洗工艺的应用进行分析。  相似文献   

9.
《中国科学院院刊》2011,(3):346-346
中科院合肥物质科学院智能所仿生功能材料与传感器件研究中心刘锦淮研究员、黄行九研究员负责的研究组提出了利用不同晶格取向的“T”型纳米结构构筑纳米分流器器件的概念,他们运用纳米操纵平台及微电子机械系统(MEMS)工艺手段,构筑了主干和分枝分别为[101]和[010]方向生长的“T”型SnO2纳米线分流器件。  相似文献   

10.
《中国科学院院刊》2009,(5):549-549
微电子所微波器件与集成电路研究室HBT超高速电路小组刘新宇研究员和金智研究员等研制成功两款基于Ium GaAs HBT工艺的8-bit超高速直接数字频率综合器(Direct Digital frequency-Synthesizer,DDS)芯片DDS1和DDS2。  相似文献   

11.
分析了AlGaN/GaN HEMT器件的结构及特性,2DEG的浓度与器件的电学特性的关系。在仿真软件ATLAS上构建器件模型,对器件的转移特性和输出特性进行了模拟仿真,并对仿真结果进行分析。  相似文献   

12.
LED照明是一种节能环保的新型照明技术,1986年,日本名古屋工业大学发明了生长GaN(氮化镓)的新方法,GaN基材料和器件很快成了研究的热点。在国内,北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室于1990年筹建金属有机化合物气相沉积实验室,  相似文献   

13.
张毓敏 《科教文汇》2011,(36):85-86
最近十几年来,分子器件由于其诱人的应用前景已经成为了国际科技界竞争最为激烈的研究领域之一,这也使得分子器件领域在过去短短的时间里取得了很多优秀的研究成果。本文主要对分子器件的概念,以及分子器件研究中一些重要的实验和理论进展进行了简要的概括。  相似文献   

14.
《科技风》2017,(8)
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。  相似文献   

15.
正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。  相似文献   

16.
[目的/意义]面向我国信息化战略和集成电路重大需求,基于专利文献分析把握微电子器件材料和工艺的发展现状和趋势.[方法/过程]以德温特世界专利索引数据库2000-2020年的专利为基础,从三个层次进行专利分析:(1)宏观上对专利数量、时间趋势等进行基本统计分析;(2)中观上对专利国家/地区、专利权人以及研发团队合作关系等...  相似文献   

17.
GaN(氮化镓)时代即将到来   在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.……  相似文献   

18.
纳信息功能器件系统的关键科学问题和发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文综合评述了国内外纳电子器件和新原理的纳功能器件的最新进展,指出硅基微电子技术正在向与新的、目前尚不明确核心技术的纳信息技术共同发展的方向转型,这是我国信息技术和产业后来居上的重要机遇。基于纳尺度各种显著的物理效应和多场耦合原理,开展低维纳功能器件的新原理、新性能、新架构的深入系统的研究,具有重大科学与现实意义。这类纳信息功能器件与硅芯片技术相融合的设计、工艺和技术将是需要突破的重大问题。随着纳米科学技术研究的重点向功能化器件系统方向发展,如何加强以产业发展为背景的研究,特别是加强微纳电子、芯片设计制造业与纳米科技基础研究的结合,加强微纳硅工艺与新的纳米技术的结合,加强高水平科学研究发现与关键技术创新的结合,是我国纳米科学技术发展的重要问题。  相似文献   

19.
刘式墉教授长期从事信息光电子学的研究,在光波导器件物理、半导体激光器及物理、光电子集成器件、有机发光器件、聚合物AWG、光电子及其集成器件的计算机辅助设计、多晶硅TFT阵列设计等方面做出了一些有意义的工作:  相似文献   

20.
针对目前电子产品元器件贴装工艺高度普及、表面安装器件SMD大量被使用的现状,通过对表面安装器件SMD的介绍,分别研究了SMD分立器件、SMD集成电路以及大规模集成电路的贴装方式,对各种贴装方式加以比较,提出最佳贴装工艺方案。  相似文献   

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