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栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件[1],建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LD-MOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻载流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。 相似文献
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带阶梯栅氧的N-LDMOS晶体管热载流子退化分析(英文) 总被引：1，自引：0，他引：1
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善. 相似文献
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史正凤 《职教通讯(江苏技术师范学院学报)》2007,(12):91-92
搞好《模拟电子技术》课程教学,教师要引导学生闯过“三个关口”:器件、工程计算和操作技能。一、过好器件关模电教材中要求掌握的电子器件主要有:晶体二极管、晶体三极管和场效应管、集成运算放大器、集成功率放大器、集成稳压器。晶体三极管是构成各种电子电路的核心原件,在整个电子电路中占有非常突出的位置,过好器件关特别要过好晶体三极管关。作为三端器件,其特点比晶体二极管复杂得多,其内部有三个区(P或N)、两个PN结,且掺杂浓度和面积有一定的具体要求。因此,必须在掌握了PN结的形成、特性和晶体二极管的伏安特性曲线的前提下,再… 相似文献
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大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 相似文献
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针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET寄生参数与电路中米勒平台及关断时间的关系。建立MOSFET的寄生电容分段线性模型,应用Matlab软件实现参数的对比分析,根据内部器件的工作原理确定其转移特性和输出特性,利用图像数据获取MOSFET的等效模型,采用MOSFET搭建LLC谐振变换器电路,通过不同条件下的仿真实验,得到寄生参数的影响规律。一系列的仿真训练能够有效提高学生的仿真实践能力。 相似文献
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展开了高k栅介质厚度对MOS器件特性影响的数值模拟研究.利用有限元数值分析手段,分析了栅介质厚度对MOS管驱动电流和阈值电压的影响,得到在不同栅介质厚度值情况下对应的输出特性曲线和转移特性曲线以及不同k值下的漏端电流.结果表明,减小栅介质层厚度,MOS管的驱动电流持续增加,阈值电压也显著下降.同时,在一定范围内随着k值的增大MOS管的漏端电流持续增加. 相似文献
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温煜东 《晋城职业技术学院学报》2014,(3):56-57,68
主要针对一种弯曲迂回缝隙封装天线的近场特性进行研究。集成的缝隙天线在封装腔中的辐射电场分布可以通过HFSS仿真得到。采用在封装内设置均匀孔栅的方法,抑制这种辐射电场。在设置孔栅结构以后,不仅减小了集成天线对腔内器件的电磁干扰,而且提高了天线的辐射效率。仿真结果表明,弯曲缝隙天线有很好的性能,封装腔内的电场强度下降了10 dB,同时使得天线的增益增加了1.5 dB。 相似文献
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随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高电压脉冲,致使器件管芯烧毁失效.即器件位通过雪崩能量测试或者说器件未通过合适的雪崩能量测试.本文就雪崩击穿的机理、雪崩能量测试的原理、雪崩失效的分析进行一些探讨,从而给出减小雪崩失效的方法. 相似文献
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为了提高叶栅的气动性能,通过研究叶栅流场的流动结构改变几何参数以达到对叶栅进行流动控制的目的。该研究在原有干净叶栅的尾缘附近从下翼面到上翼面之间开了一个通槽,利用CFD商用软件数值模拟了干净叶栅和开槽叶栅在不同雷诺数下的气动性能,分析了雷诺数对二者气动性能的影响以及流场结构。研究表明:在低雷诺数下,这种槽道结构能够提高叶栅的总压损失系数同时适当的增大气流转折角;随着雷诺数的继续增加,在高雷诺数下槽道结构对叶栅的气动性能提高有限。 相似文献
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通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。 相似文献
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介绍功能MOSFET器件在动态电路中的两个应用实例及其特色，并指出电路实验中引入少量的电子器件是电路实验发展的一个方向。 相似文献
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概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM-5中的纳米晶碳化硅的光致发光特性及其最近研究进展 相似文献
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用原位拉伸研究复合材料的机械性能 总被引：5，自引：0，他引：5
用扫描电镜原位拉伸的方法研究了碳化硅纤维增强镁铝复合材料的机械性能. 通过对材料中裂纹的起源、扩展、断裂过程的观察研究, 发现在拉伸状态下, 裂纹最初起源于碳化硅纤维; 在碳化硅纤维与基体结合较强时, 裂纹首先在碳化硅纤维中扩展, 同时裂纹附近的碳化硅纤维亦开始产生微观裂纹、镁铝金属基体发生塑性变形, 最终断裂; 而在碳化硅纤维与基体结合较弱的状态下, 材料的韧性较高. 相似文献
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梁飞 《渭南师范学院学报》2013,28(9)
采用废弃塑料作为碳源,正硅酸乙酯作为硅源,硝酸铁为催化剂,通过溶胶—凝胶和碳热还原法制备碳化硅纳米颗粒.采用XRD、TEM和VNA对所制备碳化硅纳米颗粒的结构、形貌和吸波性能进行了分析研究.结果表明,所得碳化硅纳米颗粒直径约为10～60 nm,当碳化硅纳米材料厚度为3mm时,在8～13 GHz的反射衰减小于-5 dB,最大值为-8.91dB. 相似文献
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LLC谐振变换器可以实现功率管的零电压开关和整流管的零电流开关,能够降低损耗、提高效率;而碳化硅新型功率器件能够实现高压、大功率、高频、高温的应用。分析单相半桥LLC谐振变换器的结构原理、计算谐振参数,采用数字信号处理器TMS320F28377S作为控制器,利用PI控制算法实现电压的闭环控制,设计了驱动电路、电压采样调理以及供电电路,引入碳化硅MOSFET搭建了谐振变换器的实验平台。该实验平台有助于学生深入学习电力电子电路的设计,熟悉新型电力电子器件的应用和学科前沿知识,提高学生的动手实践能力。 相似文献