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玻尔假定中，通常情况下，无论是辐射还是吸收光子都满足辐射条件即hv=Em—En，但在应用时要注意以下三个区别。 相似文献
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研究如何利用两粒子形成的ＥＰＲ－Ｂｅｌｌ态传输光子的量子态，并提出依赖于两光子缠绕的密集编码实验设想。 相似文献
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本文考虑非辐射复合,采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器电子寿命调制。数值模拟结果表明：非辐射复合对微胶半导体激光器光子寿命的调制带宽有一定影响,它可以使特定注入电流下的共振峰消除,但由于耗散导致强度响应减弱。 相似文献
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本文研究了新型铁电复合材料ATGS-PVDF受γ辐射效应。实验发现当吸收一定累积辐射剂最后，复合材料的体电阻ρ、电容率ε、纯热释电系数P和热电驰豫时间τ都将发生变化。还发现对于此复合材料存在两个辐射剂量的数值界限R1和R2。当累积辐射剂量小于或接近RI时，复合材料的ρ、ε、P和τ的变化趋势与自然老化规律基本相同；当累积辐射剂量达到或超过R2后，复合材料将产生永久听见伤。本文从理论上分析了γ辐射的电离效应在复合材料中产生的正负电离电荷和局域辐射势阱是复合材料产生上述辐射效应的主要原因。 相似文献
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黑体辐射的热力学研究 总被引：1，自引：0，他引：1
运用量子统计的方法，分别从谐振子模型和光子气体模型这两种基本模型。推导了黑体辐射能谱公式，即著名的普朗克公式；并且讨论了在高频极限下回到经典统计力学；在低频极限情况下，却表现出明显的量子效应；此外还对黑体辐射的各种反映热力学性质的物理量进行了较全面的研究。 相似文献
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李尊营 《临沂师范学院学报》2000,22(6):23-24,42
使用带Q开关的Nd,YAG脉冲激光器发出的脉冲激光束烧蚀金属Al靶产生Al等离子体,以Al等离子体为光源,利用时空分辨技术,采集Al等离子体发光信息,获得Al原子特征辐射谱,基于Al原子特征辐射谱,简要分析了Al原限共振双线辐射规律,并与L－S耦合理论计算作了比较,结果发现实验结果与理论分析相符合。 相似文献
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设ａｐ＾→ｂ是无终点的３－γ－临界图Ｇ的一条Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ路,文〔３〕证明了当ｄ（ａ,ｂ）＝３时,Ｇ是Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ图。本文进一步研究３－γ－临界图的Ｈａｍｉｌｔｏｎ性,得到如下结果：如果ｄ（ａ,ｂ）＝２且│Ｔ│＝１或Ｔ＝Ｎ＾－（ａ）∩Ｎ＾＋（ｂ）,则Ｇ是Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ图。这里,Ｔ＝Ｖ（Ｇ）－〔Ｎ（ａ）∪Ｎ（ｂ）∪｛ａ,ｂ｝〕。 相似文献
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研究了铁电－驻极体复合材料的受辐射效应，发现吸收一定累积剂量的γ辐射后，复合材料的体电阻ρ、介电常数ε、纯热释电系数Ｐ、压电常数ｄ３３的数值和热电驰豫、极化驰豫特性都将发生变化。一种复合材料存在两个累积辐射剂量数值界限：ｒ和Ｒ０。当累积辐射剂量小于并接近ｒ０，复合材料的ρ、ε、Ｐ和ｄ３３的衰减趋势与自然老化基本相同；当累积辐射剂量大于Ｒ０，复合材料将永久损伤，本文从理论上分析了γ辐射的电离作用导致 相似文献
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文宇 《第二课堂(小学)》2008,(8):50-52
激光特性及其应用是新课程内容,也是一个新增的考点,现整理相关内容供大家学习参考.一、什么是激光原子发生受激辐射时,发出的光子的频率、发射方向等,都与入射光 相似文献
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周栋梁 《数理天地(高中版)》2009,(5):27-28
1．辐射状磁场
例1 如图1所示,一个很长的竖直放置的圆柱形磁铁,产生一个中心辐射的磁场（磁场方向水平向外）,磁感应强度B=k/r（k是已知常数,r是辐射半径）． 相似文献
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关于优美图Cn和Cn⊙K1的r—冠的优美性 总被引：8，自引：0，他引：8
在图Cn（当n≡0,3（mod4)和图Cn是优美图的基础上,证明了图Cn的r－冠（n≡0,3（mod4)）和图Cn⊙K1的r－冠的优美的。 相似文献
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中学生数理化试题研究中心 《中学生数理化(高中版)》2009,(11)
1.如图1所示是氢原子的能级图,现让一束单色光照射一群处于基态的氢原子,受激发的氢原子能自发地辐射出三种不同频率的光,则照射氢原子的单色光的光子能量为( ). A.13.6eV B.12.09eV C.10.2eV D.3.4eV 相似文献
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两等同双能级原子与三模腔场任意多光子共振相互作用辐射谱的一般特征 总被引：3，自引：0，他引：3
本文研究了两个偶极——偶极力关联的等同双能级原子与三模腔场间任意多光于共振相互作用的辐射谱。对三模腔场分别处于不同数态:即三模均为真空场、三模均为强场、一模为真空场两模为强场以及两模为真空场一模为强场时辐射谱的结构特征及物理特性进行了详细分析,从而揭示出“三模腔场——两原子系统”的多光子辐射谱的一般特征。 相似文献
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研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理，这些电参数可以基本恢复．斩波式自动稳零型ＣＭＯＳ集成运算放大器抗γ辐射能力较强．集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤． 相似文献
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介绍了一个涉及光学、电学、热学知识的探索性综合物理实验－－用简易光谱仪测定光敏电阻的电导随波长变化的规律，并用黑体辐射理论进行修正，使测量结果更符合实际规律。 相似文献