共查询到19条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
针对无源光网络(PON)设计了10 Gbit/s的突发模式前置放大器. 为了获取大动态范围和快速响应,电路采用DC耦合结构,并设计了一种反馈型峰值检测单元以实现自动增益控制与阈值提取功能. 利用调节型共源共栅(RGC)结构的输入级单元减小了电路的输入电阻,使得包括光检测器电容在内的大寄生电容与电路的主极点相隔离,从而提高了带宽. 该前置放大器采用低成本的0.13 μm CMOS工艺实现,芯片面积为425μm×475μm,总功耗为23.4mW. 测试结果表明,电路的工作速率范围在1.25 ~10.312 5Gbit/s,可提供64.0 dBΩ的高跨阻增益与54. 6 dBΩ的低跨阻增益,输入动态范围大于22.9 dB. 等效输入噪声电流为23.4 pA/Hz1/2. 该放大器可满足10G-EPON与XG-PON的相关指标. 相似文献
2.
《东南大学学报》2017,(2)
提出了一种基于信号求和结构的新型可编程增益放大器.不同于传统的信号求和可变增益放大器,在本设计中,通过二进制开关的控制接入分流管的宽长比来实现分流管的跨导改变.二进制的设计可以实现精确的6 dB增益步长.恒跨导偏置技术保证了电路实现精确的增益,且不受工艺、电压和温度变化的影响.P-well NM OS技术消除了背栅效应对增益误差的影响.低增益采用源极退化技术实现,实现了信号强度较大时,电路具有高线性度.所设计的可编程增益放大器采用0.18μm CMOS工艺制造.测试结果显示,增益范围为0~24 dB,增益步长6 dB,最大增益误差为0.3 d B.在不同增益下,电路都能保证恒定210 MHz带宽.OIP3和最小噪声系数分别为20.9 d Bm和11.1 dB.电路版图紧凑,核心面积为0.068 mm~2.在1.8 V的电源电压下,消耗4.8 mW功率. 相似文献
3.
在计算和仿真共基-共射反馈放大器的开、闭环源互阻增益满足反馈放大器中基本关系的基础上,分别采用EWB软件和MATLAB对高频小信号等效电路做出了组合电路的频率特性曲线,两者关系曲线相同.开闭环的截止频率之比是反馈放大器的反馈深度,满足单极点条件,说明反馈放大器可视为单极点电路.时间常数开路法的结果表明,具有密勒倍增效应的共射集电结电容形成的极点,时间常数很大,决定了整个电路的上限频率.同时各电容的闭环上限频率都较开环拓展了同一倍数,是源互阻增益下降的倍数,说明增益带宽积保持不变.这种借助分析电路各极点频率,进而获得整体频率特性的方法,为讨论多极点系统带来了方便. 相似文献
4.
用于神经信号再生的神经功能电压驱动电路 总被引:1,自引:0,他引:1
采用华润上华0.6μm CMOS工艺,设计实现了一种用于神经信号再生微电子系统的低功耗、高增益功能电激励电压驱动电路.它可以用于驱动激励电极和与之相连的神经来再生神经信号.电路由2部分组成:全差分折叠式共源共栅放大器及带过载保护的互补型甲乙类输出级.电路采用了满摆幅的输入输出结构,保证了大输入电压范围和大输出电压范围.仿真结果表明,电路增益可以达到81dB,具有295kHz的3dB带宽.芯片面积为1.06mm×0.52mm.经流片实现后在片测试,在单电源 5V下工作,直流功耗约为7.5mW,输出电压幅度达到4.8V;同时在单电源 3.3V下也可正常工作. 相似文献
5.
6.
借助EWB软件中的受控源模型,构建了共集-共基组合放大电路的高频简化等效电路,直接启动仿真后得源电压增益、幅频特性、截止频率,与s域建立节点电压方程,运行MATLAB后的结果完全一致.利用MATLAB编程的便捷性,分别绘制了源电压增益的幅度与共集、共基组态集电结电容间的关系曲线,得到共基组态的结电容对频响影响更大的结论;对容抗取极限,比较了共集、共基和组合电路的幅频特性,验证了多级放大器的截止频率与各级截止频率间的关系式,为分析各种放大电路的频率响应提供了一种新的处理方法. 相似文献
7.
采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作频带内回波损耗小于10dB;1dB增益压缩点输出功率达到4dBm;所需本振功率为-3dBm。 相似文献
8.
提出了一种12-Gbit/s的低功耗、宽带CMOS具有双反馈结构的前馈共栅差分跨阻放大器,用于甚短距离传输光电集成电路接收机.通过将输入节点的主极点提高到一个较高的频率,增大了放大器带宽.此外,采用2个反馈环路降低输入等效电阻,从而进一步提高了带宽.提出的跨阻放大器采用TSMC0.18μm CMOS工艺制造.整个电路具有较小的芯片面积,其核心面积仅为0.0036 mm~2.在不考虑两级差分的缓冲放大器时,其功耗为14.6 mW.测试结果表明,在1.8V的电源电压下,实现了9GHz的3dB带宽和49.2dBΩ的跨阻增益.测量的平均输入噪声电流功率谱密度为28.1 p A/Hz~(1/2).在相同的工艺条件下,与已发表的文献相比,DNFFCG差分跨组放大器具有最佳的增益带宽积. 相似文献
9.
10.
童红 《贵州教育学院学报》2006,17(2):40-42
作为光接收机前端的关键部分,限幅放大器要求具有高增益,足够带宽以及较宽的输入动态范围。本文在0.18μm CMOS工艺上设计了一种用于10Gb/s传输速率的限幅放大器。采用反比例级联结构和低电压降有源电感负载来提高系统带宽,达到了设计目标。仿真结果显示,该限幅放大器获得了约30dB的增益和10GHz的-3dB带宽,在10GHz范围内S11和S22都小于-10dB,电路功耗为100mW。 相似文献
11.
Guoxuan Qin Mengmeng Jin Guoping Tu Yuexing Yan Laichun Yang Yanmeng Xu Jianguo Ma 《天津大学学报(英文版)》2017,23(2):168-175
A 0.18 μm CMOS low noise amplifier(LNA) by utilizing noise-canceling technique was designed and implemented in this paper. Current-reuse and self-bias techniques were used in the first stage to achieve input matching and reduce power consumption. The core size of the proposed CMOS LNA circuit without inductor was only 128 μm 9226 μm. The measured power gain and noise figure of the proposed LNA were 20.6 and 1.9 dB,respectively. The 3-dB bandwidth covers frequency from 0.1 to 1.2 GHz. When the chip was operated at a supply voltage of 1.8 V, it consumed 25.69 mW. The high performance of the proposed LNA makes it suitable for multistandard low-cost receiver front-ends within the above frequency range. 相似文献
12.
马晓明 《深圳职业技术学院学报》2002,1(2):7-13,59
利用速率方程模型,对980nm泵浦带光隔离器的两段型掺铒光纤放大器(EDFA)的性能进行了研究,分析了增益、噪声系数、输出信号功率与泵浦光功率、输入信号光功率等参数之间的关系,结果表明小信号增益至少可提高3dB,噪声系数降低1.0dB,接近量子极限噪声系数。 相似文献
13.
介绍一种基于超微细射频平面电路技术的小型化900MHz选频放大模组.该模组制作在90mm×18mm×0.5mm陶瓷基板上,具有噪声系数低、增益可控、滤波电路平面化等特点,适合作为低噪声射频通信选频放大链.且该模组在900MHz频段,增益Gp≥42dB,噪声系数Nf≤0.9dB,1dB压缩点输出功率Po≥30dBm,带外抑制≥35dB. 相似文献
14.
为了放大微弱的高频信号,需要使用LC谐振放大器。以三极管等分立元件构建的单调谐放大器,具有功耗小,噪声低等优点。三级谐振放大器级联实现较大的增益,级间通过高频变压器互感耦合,便于调整谐振频率,并减少损耗。经测试,本LC谐振放大器放大中心谐振频率15.1MHz,偏差100kHz,-3dB带宽300kHz,实现80dB的放大倍数,功耗324mW。输入50μV微弱信号时,输出无明显失真。结果表明,该LC谐振放大器具有低噪声、低功耗、高增益等优点。 相似文献
15.
陆伟艳 《南宁师范高等专科学校学报》2008,25(4):119-120
低噪声放大器是射频前端的关键部件。针对超宽带低噪声放大器实际应用中对带宽、增益、噪声等要求,文中基于多级反馈技术,用AglientEDA工具ADS进行全面的仿真分析和优化设计。测试结果表明,实际测得的指标能与仿真结果较好的吻合.实现了一种较好的超宽带、低噪声、带内平坦度好和良好端口匹配的高效宽带放大器。 相似文献
16.
介绍了一种应用于下一代移动通信系统的高性能宽带射频收发信机的实现.本射频收发信机工作在6~6.3GHz频段,信道带宽达到100MHz,工作在时分双工模式并支持IMT-advanced系统采用的多输入多输出(MIMO)技术.为了获得最佳的性能,采用了经典的超外差结构.详细介绍了系统关键部件如低噪声放大器、功率放大器以及本地振荡器的设计问题.测试结果表明,射频收发信机的最大线性输出功率大于23dBm,低噪声放大器的增益和噪声系数分别为大约24dB和小于1dB.此外,误差矢量幅度(EVM)的测试结果表明实现的射频收发信机的性能远超过LTE-advanced系统的要求.采用最大8×8的MIMO配置,本射频收发信机在现场试验中支持超过1Gbit/s的数据传输率. 相似文献
17.
INTRODUCTIONRecently ,thehighfrequencyperformanceofCMOShavebeenimprovedsignificantlyinthelowgigahertzfrequencybands,makingitagoodcandidatefortheintegrationofbothdigitalandanalogchips.However,performances,suchasnoiseandlinearitycharacteristics,mustbeana ly… 相似文献
18.
Noise and linearity performances are critical characteristics for radio frequency integrated circuits (RFICs), especially
for low noise amplifiers (LNAs). In this paper, a detailed analysis of noise and linearity for the cascode architecture, a
widely used circuit structure in LNA designs, is presented. The noise and the linearity improvement techniques for cascode
structures are also developed and have been proven by computer simulating experiments. Theoretical analysis and simulation
results showed that, for cascode structure LNAs, the first metallic oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) dominates
the noise performance of the LNA, while the second MOSFET contributes more to the linearity. A conclusion is thus obtained
that the first and second MOSFET of the LNA can be designed to optimize the noise performance and the linearity performance
separately, without trade-offs. The 1.9GHz Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) LNA simulation results are also
given as an application of the developed theory. 相似文献
19.
杜海军 《十堰职业技术学院学报》2007,20(5):92-93
分析了某生产线车间噪声分布特性及操作室和配电室之间通风的要求,设计了合理的送、排风系统,并对操作室进行隔声降噪综合治理,使操作室内距观察窗0.5 m处A声级噪声由84 dB(A)降至68.2 dB(A)。 相似文献