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碲锌镉单晶体是近年发展起来的一种性能优异的三元化合物晶体材料,具有良好的光电性质,被广泛用于制作核辐射探测器、红外探测器外延衬底等而引起了越来越多的研究者重视。研究碲锌镉晶体生长方法,对于低成本制备大体积、高质量的碲锌镉单晶体具有重要意义。数值模拟的发展,加深了对各种生长碲锌镉单晶体技术的认识,对加大碲锌镉单晶生长及应用的研究具有重要的意义。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 相似文献
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用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究 总被引：1，自引：0，他引：1
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究.系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率. 相似文献
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平面工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程,制作出集成电路;器件和电路都是在芯片表面一层附近处,整个芯片基本上保持是平坦的。单片集成电路工艺是利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。 相似文献
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近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。 相似文献
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本文叙述了模具型腔及表面的抛光、花纹、镀层等加工处理技术。包括对被处理模具的选材及热处理的具体要求,以及手工抛光塑料模具型腔的要求,和粗磨、细磨、抛光和操作注意事项。详细介绍了模具表面强化、模具表面抛光、模具表面孔洞分析及改善、模具表面凸痕及改善、模具型腔表面花纹、锌基合金模具表面电镀铬等模具型腔及表面的加工处理技术。 相似文献
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中国科学院物理研究所 《中国科学基金》2007,21(2):127-127
近日,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展。他们从实验和理论上研究了Si(111)单晶衬底上Pb薄膜中的厚度变化对原子表面扩散运动的影响,证明了量子尺寸效应对原子表面扩散运动的调制作用。该成果被选作封面图片发表在美国《物理评论快报》(Phys．Rev．Lett．97,266102(2006))上。 相似文献
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<正>作为抛光速率和抛光效果俱佳的抛光技术,化学机械抛光得到了广泛的发展与研究,本文梳理化学机械抛光技术的专利申请趋势、创新主体、重点专利等方面,对化学机械抛光进行专利分析,为该领域技术人员了解专利申请情况提供参考。概述化学机械抛光（Chemical Mechanic Polishing,CMP）是一种表面全局平坦化技术,它利用磨损中的“软磨硬”原理,即采用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光;基本工艺是将待抛光工件置于由纳米级磨料颗粒、 相似文献
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建立化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响。通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持。 相似文献
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锗单晶是电子器件行业的重要原料。它经过切片、腐蚀、烧结扩散、焊接封帽制成锗管后,主要用于收音机,也有一部份用于电视机、收录机及其它仪器仪表。目前,全国锗单晶的主要生产企业有上海冶炼厂、南京718厂、北京半导体材料厂、吉林锗厂等十五家,拥有主要设备单晶炉79台,年生产能力为27.166吨。在这十五家生产企业中,上海冶炼厂的产量最大,约占全国总产量的53％,从1979年到1981年的三年中,该厂产量增加了一倍半。从1981年的单位生产成本来看,上海冶炼厂 相似文献