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1.
骆旭坤 《黎明职业大学学报》2008,(1):31-34
设计中的数字电压表采用ATmega8单片机芯片、运算放大器LM358芯片及电压比较器LM393等芯片,完成3位半数字电压表的硬件电路与软件设计.控制系统由量程切换、单斜积分式A/D转换电路等模块构成,将检测到的数据送入PC系统,实现计算、存储、控制等功能.该数字电压表电路简单,所用元件较少,成本低,具有精度高、速度快、性能稳定、工作可靠等特点. 相似文献
2.
根据一种时间数字转换器的结构和性能,提出了组成全数字锁相环重要模块——时间数字转换器的设计方法。首先,设计出TDC模块的电路构成;其次,采用千分尺算法对电路信号进行设计和较正;最后,通过PSPICE仿真环境对电路图的设计,测出TDC的精确度,测得在CMOS环境下时间延迟的线性趋势。实验结果表明,与已有的时间数字转换器相比,该千分尺算法应用于TDC模块的设计,可以使时间数字转换器的性能有较大提高。 相似文献
3.
介绍了单片集成MEA系统和用于该系统的神经元信号探测电路和激励电路,基本单元电路是低功耗、低噪声、高增益和小版图尺寸的运算放大器.详细讨论了探测电路、激励电路和基本单元运算放大器的设计.神经元信号探测电路版图面积290 μm×400 μm,功耗2.02 mw,等效输入噪声17.72 nV/Hz,增益60.5 dB,输出电压摆幅-2.48～+2.5 V.激励电路版图面积130μm×290 μm,功耗740μW,输出电压摆幅-2.5～2.04 V.参数表明这2种电路适用于单片集成MEA系统.探测电路和单片集成MEA系统已经流片.探测电路的测试结果表明电路工作正常. 相似文献
4.
给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ～5.35,4.15 ～4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB. 相似文献
5.
设计了一种用于逐次逼近型ADC中的电容自校准电路.通过增加一个校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,并可校准电路工作时产生的误差.采用该电路设计了一个用于多通道逐次逼近型结构的10bit32Msample/s模数转换器单元,该芯片在Chart0.25μm2.5V工艺上实现,总的芯片面积为1.4mm×1.3mm.在32MHz工作时,通过校准后的信噪比仿真结果为59.5861dB,无杂散动态范围为70.246dB.芯片实测,输入频率5.8MHz时,信噪失真比为44.82dB,无杂散动态范围为63.7604dB. 相似文献
6.
讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10 Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力.输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10 Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3 V,输出级电路供电电压为5.5 V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积(包括焊盘)为600μm×800μm,,测试表明当输入10 Gb/s的非归零随机码,输出级电源电压为5.5 V时,电路总功耗为660 mw,在50 Ω负载上可以提供3 V的驱动电压(相应的驱动电流为60mA).测试眼图清晰,可以很好地满足SDH STM64/SONNET OC192和10 Gb/s以太网的模板要求. 相似文献
7.
根据光电信息科学与工程专业光电综合实验课程教学的需要,研制了基于红外遥控的三基色LED调光调色实验教学系统,该系统使用红外遥控器作为控制器,以PIC单片机作为控制芯片,通过红外一体化接收器对红外发射信号进行接收并将解调好的信号送给单片机,单片机将该信号解码并执行相应程序控制对应的LED阵列电路,并通过PWM模块驱动LED亮灭,通过调整占空比输出控制电路的通断时间,高速闪烁的LED在调控不同的占空比下呈现不同的亮度及颜色。利用该实验教学系统可以帮助学生了解并掌握利用PWM技术实现三基色LED的调光方法。 相似文献
8.
一、红外线的物理性质及特性
红外线的波长为0.76～1 000 μm,介于电磁波和可见光之间,以辐射的形式向外传播.电磁波谱中,通常把波长范围为0.76～1 000 μm这一波谱区间称为红外波谱区.其中,又分为近红外(0.76～3.0μm)、中红外(3.0～6.0μm)、远红外(6.0～15.0 μm)和超远红外(15.0～1 000 μm).也可把近红外和中红外统称为反射红外;把远红外称为热红外(8～14 μm)或发射红外. 相似文献
9.
介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW. 相似文献
10.
用于神经信号再生的神经功能电压驱动电路 总被引：1，自引：0，他引：1
采用华润上华0.6μm CMOS工艺,设计实现了一种用于神经信号再生微电子系统的低功耗、高增益功能电激励电压驱动电路.它可以用于驱动激励电极和与之相连的神经来再生神经信号.电路由2部分组成:全差分折叠式共源共栅放大器及带过载保护的互补型甲乙类输出级.电路采用了满摆幅的输入输出结构,保证了大输入电压范围和大输出电压范围.仿真结果表明,电路增益可以达到81dB,具有295kHz的3dB带宽.芯片面积为1.06mm×0.52mm.经流片实现后在片测试,在单电源 5V下工作,直流功耗约为7.5mW,输出电压幅度达到4.8V;同时在单电源 3.3V下也可正常工作. 相似文献
11.
采用水热法制备了锂离子电池正极材料LiV3O8,通过X射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)表征研究了样品的结构和形貌特征;通过恒流充放电技术测试了样品的电化学性质.结果表明,水热法制备的LiV3O8样品由棒状颗粒组成,粒径约0.5μm,棒长约1-3μm.首次放电容量为276mAh/g.所制备LiV3O8材料具有较高的初始放电比容量和良好的循环性能. 相似文献
12.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz. 相似文献
13.
设计了一种基于FPGA的拍频信号解调电路用于实时解调双路光纤激光的频差信息.应用ADF4351频率合成器芯片与ADL5801混频器芯片组成混频电路,设计了将光电探测器响应的射频(radio frequency,RF)域拍频信号下变频为中频(intermediate frequency,IF)信号的调理电路;以5CGXFC5C6F27C7N芯片为核心并结合快速傅里叶变换(FFT)进行时频转换,实现了拍频信号实时解调的FPGA解调电路.实验证明,该电路可实现0.41～3.45 GHz宽频带范围内的拍频信号实时检测,频率分辨率为7.6 kHz. 相似文献
14.
针对无源光网络(PON)设计了10 Gbit/s的突发模式前置放大器. 为了获取大动态范围和快速响应,电路采用DC耦合结构,并设计了一种反馈型峰值检测单元以实现自动增益控制与阈值提取功能. 利用调节型共源共栅(RGC)结构的输入级单元减小了电路的输入电阻,使得包括光检测器电容在内的大寄生电容与电路的主极点相隔离,从而提高了带宽. 该前置放大器采用低成本的0.13 μm CMOS工艺实现,芯片面积为425μm×475μm,总功耗为23.4mW. 测试结果表明,电路的工作速率范围在1.25 ～10.312 5Gbit/s,可提供64.0 dBΩ的高跨阻增益与54. 6 dBΩ的低跨阻增益,输入动态范围大于22.9 dB. 等效输入噪声电流为23.4 pA/Hz1/2. 该放大器可满足10G-EPON与XG-PON的相关指标. 相似文献
15.
将利用分立器件设计的4通道神经信号再生电子系统成功地应用于大鼠和家兔的活体动物实验,再生了它们的神经信号．采用相同的原理,用CSMC0．6μm CMOS工艺设计实现了单通道神经信号再生集成电路．电路由增益可调的神经信号探测电路、缓冲器和神经功能电激励电路构成．电路采用±2．5V双电源电压供电．芯片尺寸为1．42mm×1．34mm．在片测试电路的静态功耗小于10mW,输出电阻为118mΩ,3dB带宽大于30kHz,增益在50～90dB可调．电路芯片与卡肤电极、针状双体电极一起,用于大鼠的神经信号再生的活体动物实验,成功地再生了大鼠的坐骨神经和脊髓神经信号． 相似文献
16.
基于ATMEGA8的红外安防报警系统设计 总被引：2，自引：0，他引：2
设计一种基于红外技术的家庭安全防盗智能系统,说明系统的工作原理、各模块的硬件电路设计和主程序的设计流程。该系统以ATMEGA8单片机为核心控制器件,包括红外检测电路、无线收发电路、键盘电路、显示电路以及报警电路,利用红外传感器检测人体信号,单片机验证来者身份合法性并做相应智能控制。若为非法入侵,则通过无线传输模块报警。系统抗干扰能力强,检测范围可达10m左右。 相似文献
17.
利用溶剂热法合成Er~(3+)/Yb~(3+)/Ce~(3+)共掺杂的K_2YF_5微晶.在980 nm红外激光激发下,微晶产生有效的可见上转换辐射及1.5μm近红外辐射.随着Ce~(3+)掺杂量的增加,上转换荧光逐渐减弱,而1.5μm红外光随Ce~(3+)掺杂浓度的增加先增加而后减弱,当Ce~(3+)掺杂浓度为4%时,1.5μm近红外辐射最强,约为不掺杂Ce~(3+)样品辐射强度的4倍.微晶发光性能的变化被归因于Er~(3+)、Ce~(3+)之间的能量交叉弛豫.结合掺杂离子的能级结构,对微晶的发光机理进行详细的讨论. 相似文献
18.
宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析 总被引：1，自引：0，他引：1
应用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器.采用开关电容阵列拓宽频率范围.设计过程中对相位噪声进行了优化.应用线性时变模型(LTV)推导出相位噪声与MOS晶体管宽长比之间的函数关系,从理论上给出相位噪声性能最优的元件参数取值范围.为简化推导过程,针对电路特点按晶体管工作状态来细分电路工作区域,从而避免了大量积分运算,以尽可能简单的比例形式得到相位噪声与设计变量间的函数关系.测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心电路工作电流为8.8mA,压控振荡器的频率范围为1.17 ～1.90GHz,10kHz频偏处相位噪声达到-83dBc/Hz.芯片面积为1.2mm×0.9mm. 相似文献
19.
设计了一种用于片上系统的无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(LDO),其输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA.该设计可以有效地减少芯片引脚和电路板面积.通过在传统结构上使用动态摆率增强电路和嵌套式米勒补偿技术,LDO在线性和负载响应过程中都有很强的稳定性.当输出电流从100 mA减小到1 mA时,过冲电压被限制在550 mV以内,稳定时间小于50μs.由于采用了30 nA的电流基准,本设计的静态功耗仅为3.3μA.通过CSMC公司0.5 μm CMOS工艺进行设计并流片验证,芯片测试结果与仿真结果吻合. 相似文献
20.
《实验室研究与探索》2013,(8)
基于ZigBee技术,采用CC2420芯片和PIC18F4620模块的C51RF-3-JX开发板的智能家居系统进行实验性研究。对智能家居系统中的中心控制、门锁信息采集和锁窗控制3个模块进行了硬件设计,确定了微处理芯片与射频芯片和外设的连接方式,对电源电路、接口电路、信号转换电路和指示灯电路做了设计和分析;实现了微处理器对射频芯片的控制以及射频芯片网络的搭建。最后通过测试接口数据验证了数据发射和接收效果。 相似文献